今天，樂知網小編 給大家分享 有關半導體制造領域的方法類型權利要求的創造性判斷，2022年專利許可合同范本（一）

有關半導體制造領域的方法類型權利要求的創造性判斷

2009年5月10日，國家知識產權局專利復審委員會（下稱專利復審委）作出第17414號復審請求審查決定，涉及的是國家知識產權局專利局于2008年9月12日駁回的、名稱為“用于半導體器件的具有高間隙填充能力的方法”的第200610027042。X號發明專利申請，其申請日為2006年5月26日。

駁回決定所依據的對比文件為：US2004/0038493A1（下稱對比文件1）和US2005/0186755A1（下稱對比文件2），駁回理由主要為權利要求1相對于對比文件1和對比文件2的結合不具備創造性。

駁回所針對的權利要求1為：一種針對半導體器件執行STI間隙填充工藝的方法，包括形成覆蓋基片的停止層；在所述基片內部形成溝槽，所述溝槽具有側壁、底部和深度；在所述溝槽內形成襯墊，所述襯墊襯著所述溝槽的側壁和底部；用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物；在所述溝槽內的第一氧化物上執行第一致密化工藝；使用HDP工藝在所述溝槽內沉積第二氧化物以填充至少所述溝槽的全部；以及在所述溝槽內的第一和第二氧化物上執行第二致密化工藝。

申請人（下稱請求人）對上述駁回決定不服，遂于2008年12月19日向專利復審委提出復審請求，并對權利要求1作了進一步限定，加入了“所述第一深度小于所述溝槽的深度”的技術特征，復審請求的具體理由是：(1)對比文件1沒有公開用“第一氧化物將溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，所述第一深度小于所述溝槽的深度”的技術特征；(2)對比文件2沒有公開“在所述溝槽內形成襯墊，所述襯墊襯著所述溝槽的側壁和底部”。

針對請求人提交的經修改的文件以及考慮到請求人陳述的意見，本案合議組對發明產生的背景、所解決的問題進行了如下分析： 本案中存在的第一個爭議點是：對比文件1是否公開了權利要求1中的“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，所述第一深度小于所述溝槽的深度”的技術特征。

存在第二個爭議點是：對比文件1相比，本申請的權利要求1中的“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物”是否具有意想不到的技術效果。

存在第三個爭議點是：對比文件2是否公開了權利要求1中的“在所述溝槽內形成襯墊，所述襯墊襯著所述溝槽的側壁和底部”的技術特征。

本發明涉及一種用于半導體器件的具有高間隙填充能力的方法。

其相對于現有技術的改進在于：能夠填充0.10um寬或更小的溝槽而無空缺的間隙填充方法。

具體改進為：(1)傳統的HDP-CVD工藝在填充具有高縱橫比的溝槽時，容易在溝槽中出現空缺，而本發明是先利用旋轉涂敷工藝在溝槽內形成氧化層，然后執行第一致密化工藝，然后再用HDP－CVD工藝再次填充溝槽剩余部分。

與傳統沉積工藝相比，旋涂氧化物的優點在于：玻璃上旋涂氧化物是可應用于基片以填充溝槽內的凹陷區域的液體成分，由于其是液體，可以較好地填充溝槽的角，并有效地減少正被填充溝槽的縱橫比，以使隨后的HDP-CVD工藝能夠填充溝槽。

對比文件1公開了一種溝槽隔離結構的制造方法，并公開了以下內容：在基片上形成襯墊氧化物層；在襯墊氧化物層上覆蓋形成襯墊氮化物層；在襯墊氮化物層上形成圖案化的光刻膠層，該光刻膠層有多個開口；使用圖案化光刻膠層為掩膜，進行蝕刻，在基片內部形成溝槽；為避免在溝槽中產生空隙或接縫，利用玻璃旋涂法在溝槽中填充絕緣層，然后對絕緣層進行低溫烘焙或固化處理；在低溫烘焙以后，對SOG層210進行化學機械拋光工藝，并使用襯墊氮化物層作為蝕刻停止層；將填充溝槽的SOG層蝕刻回預定深度；在所述基片內部的溝槽中，使用HDPCVD工藝在襯墊氮化物層上沉積硅氧化物絕緣層以填充溝槽；通過CMP工藝除去襯墊氮化物層上過量的絕緣層，然后對絕緣層進行退火處理。

對于第一個爭議點，駁回決定中認為：對比文件1公開了權利要求1中的“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，所述第一深度小于所述溝槽的深度”的技術特征。

理由如下：權利要求1中采用的是“包括”這種開放式的撰寫方式，而且采用較為籠統的描述方式“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物”，因此有理由認為只要對比文件1公開的技術方案中包括有“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度”且采用“旋涂工藝填充所述第一氧化物”這一技術手段即可。

如對比文件1記載：“采用旋涂工藝填充溝槽，先至少填滿溝槽，然后對其進行烘烤，接著再利用CMP的方法將其平坦化，最后利用刻蝕方法將其刻蝕至預定深度”；雖然采用回蝕刻以達到填充第一深度的技術手段，但其同樣符合權利要求1中記載的特征“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物”。

由此可見，對比文件1公開了上述特征。

對此合議組認為：雖然復審請求人采用的是“包括”這樣的開放式撰寫方式，但是權利要求1中使用的技術術語“填充”是指一個工藝步驟，因此可以確定權利要求1中的“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，且所述第一深度小于所述溝槽的深度”是單獨的一個工藝步驟；雖然對比文件1與權利要求1中的技術方案一樣，也形成了氧化物填充溝槽一部分深度的中間結構，但是對比文件1中是通過“先在溝槽填充氧化物，再化學機械拋光氧化物，然后再蝕刻溝槽內的氧化物”三個工藝步驟來實現的。

因此，對本領域技術人員而言，很顯然權利要求1的技術方案形成“第一氧化物填充所述溝槽至小于所述溝槽的深度的第一深度”的結構的工藝方法與對比文件1對應的工藝方法是不相同的，因此對比文件1并沒有公開權利要求1中的“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，且所述第一深度小于所述溝槽的深度”。

對于第二個爭議點，駁回決定中認為：通過減少填充材料的使用以及對填充物的蝕刻所達到的降低生產成本和減少缺陷的好處都屬于本領域技術人員可以預見的常規技術效果；由于過度填充要除去多余的填充物且引入較多的蝕刻工藝，本領域技術人員可以想到減少些填充物的使用來降低材料的使用和降低引入缺陷的過程。

因此，申請人聲稱的“意想不到的技術效果”的理由并不成立。

對此合議組認為：對比文件1中雖然采用了旋涂法，其采用了三個步驟，比本申請的技術方案多了CMP拋光、回蝕刻兩個步驟，由于權利要求1中“無需對第一氧化物層進行平坦化處理以及蝕刻處理，因此減少了工藝步驟，提高了工作效率，并降低了成本，減小了可能產生的工藝缺陷”的技術效果，并且這種技術效果是無法從對比文件1、對比文件2公開的技術內容中預見到的。

對于第三個爭議點，復審請求人認為：對比文件2中的薄氧化硅及氧化物襯墊不僅位于溝槽內，還位于基片表面，而本申請的襯墊僅僅位于溝槽的側壁和底部，其結構及作用均與對比文件2中的襯墊完全不同，因此對比文件2并未公開“在所述溝槽內形成襯墊，所述襯墊襯著所述溝槽的側壁和底部”的技術特征。

對此合議組認為：對比文件2公開了一種亞微米級間隙襯墊致密工藝，并具體披露了以下內容：在亞微米級的溝槽底部和側壁形成薄氧化層24、氮化物層20和襯墊層22，其中薄氧化物層就相當于權利要求1中的襯墊，而且該襯墊在對比文件2中所起的作用與其在本申請中為解決其技術問題所起的作用相同，都是起到保護溝槽的底部和側壁的作用，加強溝槽的絕緣和隔離作用由此可見，上述“在所述溝槽內形成襯墊，所述襯墊襯著所述溝槽的側壁和底部”已經被對比文件2公開了。

由此可見，對比文件1、對比文件2均未公開權利要求1中的“用第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，所述第一深度小于所述溝槽的深度”，目前并無依據表明上述特征屬于本領域的公知常識，且正是由于上述技術特征的存在，使權利要求1的技術方案具有“無需對第一氧化物層進行平坦化處理以及蝕刻處理的其它步驟，減少了工藝步驟，提高了工作效率，并降低了成本，減小了可能產生的工藝缺陷”的技術效果，并且所述技術效果是無法從對比文件1、對比文件2公開的技術內容中預見到的。

因此，本申請權利要求1的技術方案相對于對比文件1、對比文件2具備創造性。

案例評析 本案例是關于半導體領域制造方法的一個比較典型的案例。

在判斷半導體領域的方法權利要求的創造性時，有三種不同情況：一是權利要求的技術方案與對比文件采用了不同的工藝步驟，形成了相同的中間結構，和相同的最終產品；二是權利要求的技術方案與對比文件采用了不同的工藝步驟，形成了不同的中間結構和相同的最終產品；三是權利要求的技術方案與對比文件采用了不同的工藝步驟，形成了不同的中間結構和不同的最終產品。

對于第三種情況，由于權利要求與對比文件的技術方案差別較大，如果權利要求的技術方案與對比文件的區別技術特征具有意想不到或有益的技術效果，則通常認為權利要求的技術方案相對于對比文件具備創造性。

比較難以判斷的是第一和第二種情況，由于權利要求與對比文件的技術方案形成最終產品相同，甚至如第一種情況，形成的中間結構都相同，在判斷權利要求相對于對比文件的創造性時，可以分為兩種情況：a。如果權利要求與對比文件的工藝步驟的區別僅僅是本領域常規技術手段的簡單替換，例如用干法刻蝕代替濕法刻蝕，并且該區別技術特征并沒有產生意想不到的技術效果，則權利要求相對于對比文件不具備創造性；b。如果權利要求與對比文件的工藝步驟的差別并不是本領域常規技術手段的簡單替換，例如本案中，用“第一氧化物將所述溝槽填充至第一深度，使用旋涂工藝填充所述第一氧化物，且所述第一深度小于所述溝槽的深度”一個工藝步驟代替了對比文件1中的“先在溝槽填充氧化物，再化學機械拋光氧化物，然后再蝕刻溝槽內的氧化物”，并且還具有有益的技術效果，則通常認為權利要求相對于對比文件是具備創造性的。

綜上所述，筆者認為：在半導體制造方法領域，方法發明具有一定的特殊性。

在半導體制造領域，發明大多以改進型的發明為主，這些發明都是在現有工藝上進行改進而形成的。

在半導體制造領域，真正意義上的開拓型發明是比較少見的，因為這個產業已經非常成熟了，很多半導體器件、芯片的生產線都是很公知的。

而改進型發明里面一個很重要的組成部分就是工藝步驟省略型發明，由于半導體工藝例如光刻、掩模、蝕刻等的成本很高，因此半導體領域的很多方法發明的目的就是為了省略工藝步驟，節省了半導體制造的工藝步驟就意味著節省成本，并且隨之會減小了其它工藝可能帶來的缺陷。

因此，在審查半導體制造領域的方法發明時，一定非常謹慎的對待權利要求與對比文件在工藝步驟的區別技術特征，尤其是當這些區別就是該申請的發明點時，必需要仔細分析其是否具有有益的技術效果，例如節約成本在半導體制造領域就是非常有益的技術效果。

在判斷半導體制造領域的方法發明的創造性時，仍然是嚴格按照創造性判斷的方法來進行的，即確定最接近的現有技術，確定發明的區別特征和其實際解決的技術問題，以及判斷要求保護的發明對本領域的技術人員來說是否顯而易見。

只是在判斷要求保護的發明對本領域的技術人員來說是否顯而易見時，需要考慮半導體制造領域的特殊性。

（ 　熊潔）

2022年專利許可合同范本（一）

2022年專利許可合同范本的內容包括那些呢？2022年專利許可合同范本的格式及應注意事項包括那些呢？下面具體介紹2022年專利許可合同范本的內容、格式及注意事項： 2022年專利許可合同范本（一） 本合同于________年____月____日在________________簽訂。

一方為：中國，北京，_______________公司(以下簡稱受方) 另一方為：_____國，______市，______公司(以下簡稱供方) 前言 1。供方是____號中國專利的惟一專利權人。

供方于________年_______月______日將____號專利項下的發明向中國專利局提出申請，申請號是____，中國專利局于________年_______月_______日批準_________號專利權。

2。供方有權和同意給予上述專利實施許可證。

3。受方同意得到供方上述專利實施許可證。

4。雙方通過協商訂立條款如下： 第1款　許可證的類型 1。本許可證系一項獨占許可證。

2。供方不得在第3款所列的合同地區內制造、使用和銷售本許可證產品。

3。受方有權授予分許可證。

4。本獨占許可證未經供方允許不得轉讓。

第2款　技術使用范圍 1。供方確定____號專利的保護范圍是…… 2。供方已在合同地區以外的地區使用____號專利技術，供方根據使用結果確定達到以下技術水平……(或者：供方在簽訂本合同之前沒有使用過____號專利技術，供方確定____號專利技術在簽訂合同時達到下列技術使用水平……) 3。____號專利的全部技術使用范圍為本合同許可證的技術使用范圍。

第3款　合同地區

怎樣提出專利復審請求？

有關專利侵權，在向法院提起訴訟時，選擇起訴的法院可以有：(1)專利侵權糾紛案件，由侵權行為地或者被告住所地人民法院管轄。

侵權行為地包括：a。被控侵犯發明、實用新型專利權的產品的制造、使用、許諾銷售、銷售、進口等行為的實施地b。專利方法使用行為的實施地，依照該專利方法直接獲得的產品的使用、許諾銷售、銷售、進口等行為的實施地；c。外觀設計專利產品的制造、銷售、進口等行為的實施地；d。假冒他人專利的行為實施地；e。上述侵權行為的侵權結果發生地。

(2)原告僅對侵權產品制造者提起訴訟，未起訴銷售者，侵權產品制造地與銷售地不一致的，制造地人民法院有管轄權；以制造者與銷售者為共同被告起訴的，銷售地人民法院有管轄權；銷售者是制造者的分支機構，原告在銷售地起訴侵權產品制造者制造、銷售行為的，銷售地人民法院有管轄權。

(3)專利權屬糾紛案件，由被告住所地人民法院管轄。

(4)專利權合同糾紛案件，由被告住所地或者合同履行地人民法院管轄。

合同當事人可以在書面合同中協議選擇被告住所地、合同履行地、合同簽訂地、原告住所地、標的物所在地人民法院管轄，但不得違反級別管轄和專屬管轄的規定。



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