今天，樂知網(wǎng)小編 給大家分享 美國專利授權(quán)后修改方式及啟示，首單境外展會專利糾紛險簽約

美國專利授權(quán)后修改方式及啟示

現(xiàn)行《專利審查指南》規(guī)定，無效宣告程序中，修改發(fā)明或?qū)嵱眯滦蛯＠臋?quán)利要求書的原則包括：不得改變原權(quán)利要求的主題名稱；與授權(quán)的權(quán)利要求相比，不得擴大原專利的保護(hù)范圍；不得超出原說明書和權(quán)利要求書記載的范圍；一般不得增加未包含在授權(quán)的權(quán)利要求書中的技術(shù)特征。

由此看出，專利授權(quán)后的修改僅僅針對權(quán)利要求書，而且在獨立權(quán)利要求沒有修改的情況下，不允許對從屬權(quán)利要求進(jìn)行合并修改。

實踐中，專利權(quán)人為刪除某些有瑕疵的權(quán)利要求，只能通過無效宣告程序獲得修改的機會。

但是，出于對公示制度的遵守以及平衡專利權(quán)人與社會公眾利益的考慮，無效宣告程序?qū)＠募男薷奶岢鲚^為嚴(yán)格的限制。

因此，專利權(quán)人明知自己的專利權(quán)存在瑕疵，也極少會適用無效宣告程序?qū)＠募M(jìn)行修改，這就使得部分獲得授權(quán)的存在一些瑕疵的專利由于缺乏適當(dāng)?shù)男薷耐緩蕉荒苡行度脒\用，阻礙具有“累積性”技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新的步伐。

2022年12月，國務(wù)院發(fā)布了《國務(wù)院關(guān)于新形勢下加快知識產(chǎn)權(quán)強國建設(shè)的若干意見》，明確提出“完善授權(quán)后專利文件修改制度”。

本文中，筆者介紹美國專利授權(quán)后的修改方式，希望能為我國構(gòu)建授權(quán)后的專利文件修改體系提供參考。

美國修改途徑有哪些　　在我國，專利授權(quán)后只能在無效宣告程序中進(jìn)行修改，而在美國，專利權(quán)人有多種授權(quán)后修改途徑，包括更正證書（certificate of correction）、申請再頒專利（reissue）、單方再審（Ex Parte Reexamination，EPR），雙方重審（Inter Partes Review，IPR）和授權(quán)后復(fù)審（Post Grant Review，PGR）。

（一）更正證書　　根據(jù)美國專利法規(guī)定，專利申請人可以通過更正證書對授權(quán)后專利文件中的錯誤進(jìn)行訂正，所謂的較小印刷錯誤的修改即包括對拼錯的單詞、遺漏轉(zhuǎn)讓人名字或者錯將修改后的權(quán)利要求印刷成了修改前的權(quán)利要求等。

該類錯誤的訂正須基于失誤和非欺騙的意圖。

（二）申請再頒專利　　專利權(quán)人發(fā)現(xiàn)授權(quán)專利中存在無法通過更正聲明或放棄權(quán)利聲明進(jìn)行彌補的錯誤時，可主動放棄原來的專利并遞交再頒申請，要求專利審查部門對該專利權(quán)利要求再次進(jìn)行審查。

再頒申請被授予專利權(quán)時，原專利即被視為放棄，再頒專利的到期日期就是原專利原本的到期日期。

再頒專利必須得到原說明書公開的支持，但在獲得原說明書的公開支持下，允許申請人在原專利授權(quán)日起2年內(nèi)，提出擴大權(quán)利范圍再頒申請。

（三）單方再審中的修改　　在單方再審程序中，專利權(quán)人、被許可人，甚至是美國專利官方負(fù)責(zé)人均可引用專利或印刷出版物，向美國專利官方請求再審。

若美國專利官方接受單方再審請求，則專利權(quán)人可以在對美國專利官方的陳述環(huán)節(jié)中，要求修改權(quán)利要求以縮小專利保護(hù)范圍、考慮新的權(quán)利要求、刪除權(quán)利要求等，但在再審過程中不能引入新的主題。

（四）雙方重審中的修改　　與上文所述的單方再審制度相比，美國專利官方給予了第三方請求者更多的參與機會。

在該程序下，專利權(quán)人一般來說可修改一次，刪除被挑戰(zhàn)的權(quán)利要求，增加權(quán)利要求作為替代。

修改時，不得擴大專利保護(hù)的范圍，也不得引入新的主題。

但在雙方同意的情況下，可做其他修改。

對于這里所指的“其他修改”，則需根據(jù)不同的情形進(jìn)行分析確定。

（五）授權(quán)后復(fù)審中的修改　　在專利授權(quán)后9個月內(nèi)，利益關(guān)系人可基于專利無效的任何理由向美國專利官方提出復(fù)審請求。

在復(fù)審過程中，與雙方重審中專利權(quán)人擁有的修改尺度一樣，專利權(quán)人擁有一次可以修改權(quán)利要求的機會，包括刪除被挑戰(zhàn)的權(quán)利要求，增加合理數(shù)目的權(quán)利要求作為替代；同樣，在雙方均同意或?qū)＠麢?quán)人理由充分的情況下，可做其他修改，但修改均不得擴大專利權(quán)保護(hù)范圍，也不得引入新主題。

上述制度的實行對美國專利質(zhì)量的提高有著不可忽視的作用，這對我國構(gòu)建授權(quán)后專利文件修改體系具有借鑒意義。

我國構(gòu)建制度可參考　　（一）允許對文字錯誤直接修改　　美國專利法規(guī)定專利申請人可通過更正證書對專利文件中存在的較小的印刷錯誤進(jìn)行訂正。

我國《專利審查指南》也指出，在滿足修改原則的前提下，修改權(quán)利要求書的具體方式一般限于權(quán)利要求的刪除、合并和技術(shù)方案的刪除。

該規(guī)定中使用“一般”一詞，在一定程度上說明了例外情況存在的可能性。

筆者認(rèn)為，可以考慮允許專利權(quán)人在專利授權(quán)后對專利文件的明顯缺陷進(jìn)行修改，至少包括修改明顯筆誤這種方式。

尤其當(dāng)所犯錯誤是“善意”，且為“拼寫、抄寫、印刷或微小錯誤”，在明顯文字錯誤的修改并不會擴大保護(hù)范圍的情況下，這種修改方式可以使專利權(quán)人的權(quán)利要求的技術(shù)方案更加清晰，并可避免在無效宣告程序中出現(xiàn)不必要的語詞之爭。

（二）以技術(shù)特征為最小修改單元　　目前美國專利法中規(guī)定的申請再頒專利程序，允許專利權(quán)人修改單個技術(shù)特征。

同時，歐洲官方也認(rèn)為，修改授權(quán)后的權(quán)利要求書，可以重寫、修正或刪除部分或全部權(quán)利要求中的技術(shù)特征，只要修改后的權(quán)利要求沒有超過授權(quán)的權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍。

筆者認(rèn)為，我國可以考慮允許將技術(shù)特征作為修改的最小單元。

有學(xué)者提出，如果將專利的權(quán)利要求比喻為圈地運動中圍繞所圈之地而建的層層圍墻，那么，權(quán)利要求的修改問題就是圍墻的拆除、保留與重建。

假設(shè)最外層的200平方米的圍墻被拆除是合理的，進(jìn)而可能考慮保留第二層150平方米的圍墻，如果圈地者的貢獻(xiàn)是介于最外層200平方米和第二層之間的175平方米，那么允許其設(shè)立175平方米的圍墻是較為合理的。

授權(quán)后專利文件修改的價值在于為專利權(quán)人提供對撰寫瑕疵的補救辦法，可參考和借鑒國外的制度研究成果，健全和設(shè)計適合我國國情的授權(quán)后專利文件修改制度，促進(jìn)我國技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展。

文章來源于“樂 知 網(wǎng)”

首單境外展會專利糾紛險簽約

據(jù)悉，境外展會專利糾紛法律費用保險是人保財險公司根據(jù)官方《關(guān)于進(jìn)一步推動知識產(chǎn)權(quán)金融服務(wù)工作的意見》，為支持企業(yè)“走出去”、積極參與“一帶一路”建設(shè)、助力制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的實際需求，為擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的科技型企業(yè)度身定制的專利保險產(chǎn)品。

投保該險種后，在參加境外行業(yè)展會遇到專利糾紛并訴諸法律途徑解決時，可以通過保險理賠來補償因?qū)＠m紛而支出的律師費、訴訟費等法律費用。

官方專利管理司相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，境外展會專利糾紛法律費用保險解除了企業(yè)對在境外遭遇專利侵權(quán)糾紛支出法律費用的擔(dān)心，充分發(fā)揮了保險作為企業(yè)財務(wù)“穩(wěn)定器”的重要作用，對于幫助企業(yè)“走出去”、加強專利保護(hù)、打造和提升民族品牌價值具有助推作用。

存儲器芯片專利競爭態(tài)勢分析

臨時禁令的發(fā)出雖然標(biāo)志著我國在存儲器領(lǐng)域反擊美國打出了漂亮的一仗，但是要想在國際市場取得一席之地，還要克服諸多困難。

筆者將從目前各方的專利布局情況進(jìn)行分析，希望能對國內(nèi)存儲器企業(yè)發(fā)展有所啟發(fā)。

存儲芯片產(chǎn)業(yè)格局 存儲器芯片領(lǐng)域主要劃分為兩類：一類是易失性存儲器，就是斷電后存儲器內(nèi)存儲的信息立即消失，例如DRAM，其中PC機內(nèi)存和手機內(nèi)存大約占六成。

另一類是非易失性存儲器，即斷電以后存儲器內(nèi)存儲的信息仍然存在，主要是閃存（NAND FLASH 和 NOR FLASH），前者用于數(shù)據(jù)存儲，后者則用于代碼存儲介質(zhì)中。

半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，以DRAM和NAND FLASH兩種主要的存儲器芯片為例，其中DRAM的全球市場幾乎被韓國的三星電子、海力士和美國的美光瓜分，而NAND FLASH市場幾乎被三星電子、海力士、東芝和閃迪、美光、英特爾占有。

其中三星電子居于壟斷地位，2022年它的DRAM和NAND FLASH全球占有率分別為45.8%和37%。

而目前國內(nèi)已形成福建晉華、合肥長鑫和紫光集團三大存儲器陣營，其中福建晉華和合肥長鑫主攻DRAM領(lǐng)域，而紫光集團的長江存儲則專注于NAND FLASH領(lǐng)域，三家均聲稱在2022年底實現(xiàn)試產(chǎn)，開通生產(chǎn)線。

競爭對手專利布局 本文的專利文獻(xiàn)數(shù)據(jù)主要來自官方專利檢索與服務(wù)系統(tǒng)（S系統(tǒng)）。

專利文獻(xiàn)來源包括CNABS（中國專利文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫）和DWPI（德溫特世界專利索引數(shù)據(jù)庫）。

數(shù)據(jù)檢索截止時間為2022年8月4日。

截止到檢索日，三大巨擘三星、海力士和美光在存儲器領(lǐng)域的專利申請數(shù)量分別為1.4868萬件、1.3977萬件和9749件，可見三大企業(yè)均具有雄厚的專利技術(shù)儲備。

圖1是三大巨擘在全球范圍內(nèi)歷年申請量的年份分布折線圖。

從圖中可以看出，三星專利申請起步最早，在經(jīng)過十幾年的研發(fā)后，從1996年開始呈現(xiàn)數(shù)倍增長，并在以后20年內(nèi)每年都維持400件以上的專利申請量，且2005年、2006年的專利申請量更是超過了1000件之多；美光從1988年開始申請專利，經(jīng)過短短6年時間，其專利申請量已與三星基本持平，并從1997年開始維持400件上下的專利申請量；海力士起步最晚，從1992年才開始進(jìn)行專利布局，但是其厚積薄發(fā)，從1999年起就始終緊跟三星的腳步，并在2008、2009年達(dá)到申請巔峰，年申請量達(dá)1500件上下。

可見，經(jīng)過多年積累，三大巨擘在專利申請的數(shù)量上已經(jīng)獲得了絕對優(yōu)勢，存儲器的入市門檻已經(jīng)很高。

對三星、海力士、美光三家公司的技術(shù)目標(biāo)區(qū)域分布進(jìn)行統(tǒng)計可以看出，三家公司的技術(shù)目標(biāo)國均主要集中在美國、韓國、日本、中國4個國內(nèi)，其他國內(nèi)和地區(qū)的占比較小，且美國和韓國的占比最大，其中三星、海力士、美光三家公司在美國的占比分別為32%、53%和60%，三星、海力士兩家公司在韓國的占比分別為41%和53%。

可見，存儲器技術(shù)在美國、韓國、日本、中國的專利布局已經(jīng)鋪開，尤其是美國和韓國已經(jīng)基本完成了專利布局，而三星、海力士、美光三家公司在中國的占比分別為11%、12%和11%，說明三家公司的專利布局還沒有完全深入到中國，對中國的布局還未全面展開，中國企業(yè)應(yīng)抓住時機，提早預(yù)防。

由于三星、海力士、美光三家公司均在本國擁有較大專利申請量，本文就從專利申請的國際專利分類入手了解一下三家公司在本國的技術(shù)分布。

圖2是三家公司在本國的技術(shù)分布圖，從圖中可以看出，三家公司的專利申請均集中在G11C（靜態(tài)存儲器）、H01L（半導(dǎo)體存儲器件）、G06F（電數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)處理）和H03K（脈沖技術(shù)）幾個技術(shù)領(lǐng)域中，尤其是涉及存儲器具體設(shè)計的G11C（靜態(tài)存儲器）和包括了器件結(jié)構(gòu)及制備方法的H01L（半導(dǎo)體存儲器件）這兩個領(lǐng)域的專利申請占據(jù)了三家公司專利申請的絕大部分。

可見，三家公司均已掌握了存儲器領(lǐng)域的大量核心技術(shù)。

國內(nèi)企業(yè)專利現(xiàn)狀 筆者以福建晉華為例，介紹一下我國存儲器企業(yè)專利現(xiàn)狀。

福建晉華成立于2022年，截止到檢索日，其在中國提交專利申請42件，在美國提交專利申請20件，且僅有一件專利申請的技術(shù)領(lǐng)域是G11C（靜態(tài)存儲器），其余專利申請的技術(shù)領(lǐng)域均為H01L（半導(dǎo)體存儲器件）。

福建晉華在專利數(shù)量、技術(shù)目標(biāo)區(qū)域分布、技術(shù)領(lǐng)域分布等方面均與主要競爭對手存在較大差距。

雖然福建晉華在此次訴訟中取得了階段性勝利，但是未來仍需要在聯(lián)華電子的技術(shù)支持下，快速加大專利儲備。

存儲器行業(yè)有著“大者”的行業(yè)特征，很容易形成市場壟斷，后來者發(fā)展難度極大。

基于此，筆者就我國存儲器企業(yè)的發(fā)展提出如下建議：首先，應(yīng)積極發(fā)掘或引進(jìn)優(yōu)秀人才，實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)的技術(shù)發(fā)明、專利布局和專利運用。

其次，應(yīng)了解技術(shù)發(fā)展趨勢，查找技術(shù)研究中的空缺，通過技術(shù)合作、專利許可等方式，快速切入該領(lǐng)域。

最后，由于我國和美國均是芯片的重要市場，各大企業(yè)在進(jìn)行專利申請時，可結(jié)合自身市場規(guī)劃，在美、日、韓等重要的芯片市場國內(nèi)提交專利申請，為產(chǎn)品走出去保駕護(hù)航。



美國專利授權(quán)后修改方式及啟示 的介紹就聊到這里。


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