今天，樂知網小編 給大家分享 我國LED專利部署進入快速發展期，我國近年對外發明專利申請分析（三）

我國LED專利部署進入快速發展期

LED產業快速崛起 北京奧運會開幕式上，富有古典情韻的發光二級管（LED）大卷軸“驚艷全場”。

這個徐徐展開的LED顯示屏長147米，寬22米，裝有4.4萬顆LED燈，是全球最大的地面全彩LED屏。

它不但節能、防水、防熱，而且耐壓——每平米可承受２噸的壓力。

為處理其LED芯片數據流，后臺有460多個雙CPU４核刀片服務器參與數據處理。

這個LED大卷軸是我國——全球第一大計算機和LED制造國的工業杰作。

不過，這個卷軸的主角不是計算機，而是LED燈。

據預測，數年之后LED燈會超過計算機的銷售額，成為另一個電子支柱產業。

這個過程，也是LED從目前的廣告、太陽能、電器顯示、景觀照明等應用走向普通照明、汽車照明、信號照明的過程，其市場空間大得驚人。

例如，MP3、手機、電視等電子產品的LED顯示面板市場蘊藏著上千億美元的市場機會；在全球普通照明市場上，LED產品的發展空間則高達2500億美元。

當然，全球照明目前仍以白熾燈為主。

但是，為了推廣節能、環保的照明新技術，各國將陸續禁用白熾燈。

例如，歐盟、澳大利亞、美國將分別從2009年、2010年、2020年開始全面禁用白熾燈。

我國已經出臺LED產品推廣補貼、LED研究資助、全國四大LED產業基地建設等宏觀政策，全面禁用白熾燈也正提上各地立法日程。

這就為LED技術的普及奠定了堅實的政策基礎。

從目前的發展態勢看，全球LED市場將在2010年前后加速擴張，成為主流的照明、顯示技術之一。

在我國，LED的年產值也將在2010年后超過1500億元。

LED爆發全球專利大戰 隨著LED產業的快速崛起，該行業已經爆發全球專利大戰。

例如，日亞化學工業公司與豐田合成公司之間爆發了40件LED專利訴訟，雙方各有輸贏。

歐司朗曾在德國控告臺灣今臺電子侵犯LED專利。

日亞化學工業公司曾在日本控告臺灣晶元光電侵犯專利。

飛利浦曾在美國聯邦貿易委員會提起337訴訟，控告臺灣晶元光電侵犯專利。

日亞化學工業公司曾在臺灣起訴控告億光公司侵害LED專利。

全球五大LED制造商——日亞化學工業公司、豐田合成公司、歐司朗公司、飛利浦公司、科銳公司等還曾在美國法院被控侵犯兩項LED專利。

2008年2月20日，美國專利權人再次提起337訴訟，指控索尼、松下等全球30家企業侵犯其LED方法專利——用P型和N型摻雜制作PN結半導體器件的工藝過程及方法，并申請普遍排除令和禁止令。

這30家被告中包含11家中國企業。

侵權產品包括短波長LED、激光二極管以及包含這兩種元件的下游產品，如便攜式產品、儀表面板、廣告板、信號器、HD-DVD影碟機、藍光影碟機、存儲器等各種相關電子產品。

從上述專利訴訟看，圍繞基礎專利爆發的糾紛已經不占多數。

因此，原始創新產生的專利已經不能獨當一面。

制造企業，包括下游封裝、組裝企業圍繞二次創新和集成創新部署的專利可望成為影響市場競爭格局的主要知識產權籌碼。

我國LED專利技術高速發展 我國是全球LED產品的最大研發、制造基地，已經公布LED相關專利1萬多篇，是全球LED專利文獻最大來源國之一。

隨著全球LED專利大戰的升級，我國LED專利部署正進入快速增長期。

已經公開的專利文獻主要分布在如下技術領域： 通用制造技術。

例如：200510117231.1號文獻涉及一種LED的制造方法。

它把從LED芯片發出的光與從LED芯片發出并經熒光物質進行了波長轉換的光進行加色混合，發出任意色調的光。

再如，200610004252.7號文獻涉及一種白色LED及其制造方法。

它在藍寶石基板的一個主面上形成有包含發光層的半導體層疊結構，并發出預定波長的光，經光取出膜、熒光體產生白光。

元件封裝技術。

例如：200510133986.0號文獻涉及一種LED封裝框架和具有該框架的LED封裝。

該框架包括LED芯片、導熱構件、引線、電絕緣層等。

再如，200510133995。X號文獻涉及一種具有設計成改善樹脂流動的引線框結構的側光LED封裝。

此外，200510075355.8號文獻涉及一種大功率LED封裝。

其包括LED、LED倒裝接合的硅底座、反射薄膜、電線、絕緣體、散熱片、絕緣基片、金屬線路等。

材料發明。

例如：200510095685.3號文獻涉及一種白光LED用釔鋁石榴石發光材料的合成方法。

該方法包括如下步驟：根據化學組分式計算配比，稱取原料，并取助熔添加劑，均勻混料后，裝入剛玉坩堝中放進氧化氣氛爐中灼燒；對得到的物質進行破碎、過篩，用稀的硝酸溶液酸洗至中性，抽濾烘干粉體；粉體置于還原氣氛中灼燒，最后過篩分級。

系統發明。

例如：200510112960.8號文獻涉及一種LED型指示燈點燈裝置及指示燈系統。

再如，200510118559.5號文獻涉及一種LED光收集和均勻傳輸系統。

它包括具有粗糙內表面的錐形反射器，還包括用于將收集的光聚焦為近準直光束的透鏡。

此外，200510122248.6號文獻涉及一種串行總線連接的群組式LED景觀燈控制系統。

控制和使用方法發明。

例如：200510023695.6號文獻涉及一種調節控制LED燈光亮度的方法。

它利用LED燈發光響應速度快的特性，通過調節LED燈的工作電源主頻在60Hz至180Hz范圍內時控制LED燈工作電壓的導通脈寬，實現對LED燈光亮度的控制。

再如，200510124707.4號文獻涉及一種LED驅動電路與控制方法。

該電路包括功率開關和電流取樣單元，以及電壓比較單元，還包括輸入電壓取樣單元、定時單元、邏輯單元等。

該方法包括：用輸入電壓調制功率開關的關斷時間或預設固定關斷時間；當輸入電壓下降時關斷時間變長，當輸入電壓上升時關斷時間變短。

芯片發明。

例如：200510112162.5號文獻涉及一種LED倒裝芯片的制作方法。

它在藍寶石襯底上利用微粒子的自組裝排列和激光照射方法制備高分子材料微米或亞微米級微凸透鏡陣列層，通過使用ICP(耦合離子刻蝕)或RIE(反應離子刻蝕)設備，利用氯離子及氬離子對高分子材料微凸透鏡陣列進行干法刻蝕，將藍寶石基片上的高分子材料微凸透鏡陣列轉移到藍寶石基片表面上，在藍寶石基片上制備出微米或亞微米級微凸透鏡。

再如，200510033752.9號文獻涉及一種大功率LED與LED組合燈的芯片設計。

電路設計。

例如：200510038244。X號文獻涉及一種LED燈具。

它通過在各條串聯LED發光二極管的電路中接入定電壓控制電路和定電流控制電路，使每顆LED上的電流都保持一個恒定的值，保證LED的壽命。

再如，200610023332.7號文獻涉及一種具有自適應模式切換的并聯LED驅動電路。

此外，200510113904.6號文獻涉及一種改進的LED燈串連接電路。

機械結構設計。

例如：200510094747.9號文獻涉及一種m面InGaN/GaN量子阱LED器件結構的生長方法。

再如，200510053047.5號文獻涉及一種可拆式車輛用LED燈具的機械設計。

該LED燈包括燈罩、基底、LED光源單元等。

其中，LED光源單元的裝飾板上設有插固座，LED光源單元的電路基板延設有數個電源端子，電源端子設有嵌合部及供LED燈泡插接的插孔，電源端子的嵌合部嵌插在裝飾板的插固座上定位，電源端子供LED燈泡嵌插。

發光體設計。

例如：200510020493.6號文獻涉及一種交流LED照明燈，包括交流輸入端、交流LED燈絲，交流LED燈絲包括并聯的至少兩組導通方向相反的發光二極管陣列。

該交流LED燈絲還可以具有集成化結構。

再如，200510020492.1號文獻涉及一種集成化交流型LED燈絲。

它包括并聯的至少兩列導通方向相反的串聯集成管芯，串聯集成管芯是在一個LED基片上以串聯的方式集成的至少兩級管芯，各級管芯是單顆管芯或是由多個單顆管芯經串聯或并聯或者串并聯混合連接的方式構成。

LED外延片。

例如：200510035444。X號文獻涉及一種GaN基LED外延片及其制備方法。

再如，200510072027.2號文獻涉及一種半導體發光器件用外延片和半導體發光器件。

此外，200510026750.7號文獻涉及一種MOCVD生長氮化物發光二極管結構外延片的方法。

外殼設計。

例如：200610003007.4號文獻涉及一種LED外殼及其制造方法。

該外殼中，導熱部分具有芯片安裝區域、熱連接區域、槽區域。

再如，200510040970.5號文獻涉及一種LED輪廓燈及其制造方法。

該LED輪廓燈包括有安置在外殼內的多個發光二極管和絕緣板；發光二極管并排排布，每一個發光二極管管腳中段與相鄰的發光二極管管腳的中段之間連接有筋條，一定數量的發光二極管通過筋條相互串接成一段燈串；燈串中各個管腳的下段插接固定在絕緣板上；載有燈串的絕緣板固定在外殼中。

通用照明燈發明。

例如：200610078913.0號文獻涉及一種LED照明燈。

再如，200510033753.3號文獻涉及一種LED管燈。

此外，200510034909。X號文獻涉及一種LED平板照明燈。

它在超高亮度LED白光管中間，穿插焊接數顆其他發光光譜的LED，并從側端面鑲進其他光譜的LED，燈座底表面噴涂采光材料，對總體光色溫作一定的調節。

200510033649.4號文獻涉及一種LED夜間書寫看書發光板。

200510034140.1號文獻涉及一種個性化火車、輪船臥鋪車（船）廂（倉）內LED柔光平板照明設備。

我國近年對外發明專利申請分析（三）

作為一種能夠明顯簡化在多個國家申請專利的程序、降低申請成本的有效途徑，PCT國際申請的運用情況集中體現了申請人在海外進行專利布局的意愿和能力。

雖然PCT申請量不能直接計入國家對外發明專利申請量，但是這些申請進入國家階段后就會轉化為真正意義上的對外發明專利申請，因而是表征未來對外發明專利申請趨勢變化的一個重要因素。

比較研究表明，我國PCT申請發展狀況主要有如下特點： 我國PCT申請量增速較快，但總量遠少于美國、日本 隨著PCT制度的不斷改進，我國對PCT制度的了解也逐漸加深，認可度和利用度也逐漸提高，我國申請人正越來越多地通過PCT途徑進行對外專利申請。

截至2007年底，我國已累計申請PCT國際申請1.9563萬件。

我國1994年成為PCT締約國，當年PCT申請量僅為103件，而到2007年，PCT申請量已達到5458件，占當年全球PCT申請總量的3.46％，世界排名第七。

從1996年～2007年各國PCT國際申請數量的年度變化來看，各國申請量均呈上升趨勢。

其中，我國PCT國際申請量的增長最為迅速，年～2007年的年均增長率高達47.7%，而同期增長率較快的韓國為22.7%，美國和日本分別僅為6.1%和5.6%，德國、英國等EPC成員國也基本保持5%左右的增幅。

從2000年～2007年全球PCT申請總量來看，申請量排名前兩位的是美國和日本，其申請量分別為35.7509萬件和15.2824萬件，分別占全球申請總量的36.0％和15.4％；我國排名第十，累計申請1.8443萬件，約為美國申請量的1/20。

申請量排名前10位的國家中，除美、日、韓、中之外均為EPC成員國，其2000年～2007年累計PCT申請量總和占到全球PCT申請總量的28.8％，僅次于美國。

詳細數據請參見圖1。

我國PCT國際申請的申請人分布高度集中 我國PCT國際申請的申請人分布集中度較高，主要集中于華為技術有限公司、博德基因開發有限公司和中興通訊股份有限公司三大公司。

華為技術有限公司的PCT國際申請量累計達到3124件，約占我國PCT申請總量的1/5。

2008年，其PCT年申請量已位居世界第一；中興通訊股份有限公司的PCT國際申請量也較高，累計達到599件。

但是，排名前10的其他申請人，如清華大學、中國石油化工股份有限公司、復旦大學、香港大學、騰訊科技（深圳有限公司、比亞迪股份有限公司等，其PCT累計申請量均不足百件。

我國PCT國際申請的申請人分布高度集中的狀況表明：首先，我國發明創新的能力和水平明顯呈兩極不對稱分化的態勢，極少數申請人已經具備較強的國際競爭能力，甚至已經開始在海外專利布局方面表現出過人的魄力和能力，同時絕大多數申請人走向全球的意識和能力還相對不足；其次，企業已經成為我國專利申請走向全球的“領頭羊”和“排頭兵”，在市場競爭的驅動下，企業勢必將在未來占據更大的PCT申請比重。

但在目前，具有較強科研實力的高等院校還是我國PCT申請格局中相當重要的一極。

我國PCT國際申請相對集中于通信、醫藥、化工領域 從技術領域分布的角度來看，我國PCT國際申請分布的技術領域較為集中。

申請量居前五位的技術領域依次為：通信技術（H04；醫學、獸醫學、衛生學（A61；有機化學（C07；生物化學、酒、酶學、遺傳工程（C12；計算、推算、計數（G06。

以上5個IPC大類PCT國際申請的累計申請量分別為5229件、3252件、1514件、847件、833件，其總和占全部PCT申請的78.6%。

上述數據反映出我國PCT國際申請主要集中在通信、醫藥、化工和生物等領域，因此為促進我國對外發明專利申請和PCT國際申請的增長，應重點從上述技術領域開展工作，為其提供必要的支持；同時也應謀求在更多技術領域實現突破，尤其是我國科技中長期發展規劃中所涉及的重點領域。

從各國PCT申請分布最為集中的幾個技術領域來看，我國與美、日等主要國家具有較高的領域重合度。

電通信技術（H04，醫學或獸醫學、衛生學（A61，基本電氣元件（H01，有機化學（C07，計算、推算、計數（G06，生物化學、微生物學（C12等是中、美、日、韓PCT申請較集中的領域。

中國PCT申請量排名前3位的技術領域依次為H04、A61、C07，美國排名首位的技術領域是A61，日本排在首位的技術領域是H01。

從PCT申請涉及技術領域的數量來看，中國、印度和巴西的PCT國際申請領域數量較少，僅涉及不足30個IPC大類，而美國、日本和韓國則分布相對廣泛，涉及40多個IPC大類。

這表明美國、日本等發達國家的整體創新能力較為均衡，在各主要領域均具有一定的全球競爭能力，而中國、印度、巴西等發展中國家的技術創新還主要集中在部分具有一定基礎的技術領域，需要通過重點發展來帶動整體創新能力的全面提升。

我國對外發明專利申請中PCT途徑利用比例相對較低 各國對外發明專利申請在利用PCT途徑申請的比例上存在明顯的差異，來自歐美的申請人更傾向于利用PCT途徑申請，而亞洲國家的申請人則習慣利用非PCT途徑。

以為例，美國有71.4％的對外發明專利申請采用PCT途徑；德國、法國、巴西利用PCT途徑的比例也都在50％以上；而亞洲最高的印度也僅為43.7％；我國和日本在30％左右；而韓國僅為15.9％。

相對歐美國家而言，我國對外專利申請中PCT途徑的利用率較低。

從我國申請人提出的PCT申請的目的國分布而言，主要申請目的國集中在歐洲專利局（EPO、美國專利商標局（USPTO、日本特許廳（JPO、韓國知識產權局（KIPO。

1995年～間，我國PCT申請進入國家階段共涉及30余個國家（地區局，分布具有一定的廣度。

但是，2004年～2006三年中，我國PCT申請在EPO、USPTO、JPO、KIPO四局的國家階段量占同期我國PCT國家階段總量的67％，在分布上表現出較強的集中性。

其中，我國23％的PCT申請國家階段集中在EPO，其已成為我國PCT申請國家階段的“第一目的局”，這主要與EPC作為地區性專利組織的特殊性、EPO國際檢索質量高等因素有關。

分析我國對外發明專利申請的具體途徑還可以看出，我國在USPTO、EPO、JPO、KIPO四局中PCT途徑利用率存在明顯差異。

其中，我國申請人向EPO、JPO和KIPO申請專利時，PCT利用率分別達到60.5%、56.2%和74.6%，而在USPTO的利用率僅為11.2%。

數據顯示我國向美國提出的專利申請更傾向于采用非PCT途徑。

究其原因，這一方面與我國申請人對美國的非PCT途徑較為熟悉有關；另一方面也與美國使用先發明制有關，我國申請人為了防止競爭對手可能采取的不正當申請方式，特意采取了能較快進入美國國家階段的非PCT途徑。

我國PCT國際申請進入國家階段數量明顯少于美、歐、日 從我國PCT國際申請進入國家階段的數量情況來看，主要體現為2個特點：一是我國PCT申請進入國家階段的數量少；二是我國PCT申請進入“五局”國家階段率和進入“五局”國家階段平均數低。

我國PCT申請進入國家階段數量少。

從PCT國際申請進入國家階段總量來看，我國與美、歐、日存在很大差距。

通過對WIPO的PCT在線數據庫檢索發現，截至2008年5月10日，中、美、歐、日、韓五局受理的PCT申請進入其他四局國家階段的累計數量分別為6498件、55.8315萬件、19.5968萬件、27.4349萬件、2.915萬件，比例為1：85.9：30.2：42.2：4.5。

研究顯示，我國PCT申請進入國家階段數量一直遠低于當年的PCT申請量，而美國和日本分別在2000年和1998年左右出現了PCT申請進入國家階段數量超過PCT國際申請量的情況。

在PCT制度利用初期，主要顯示為PCT國際申請量的增加，進入國家階段的申請較少，表現為PCT國際申請量一直高于PCT國家階段數量；隨著一國申請人對于PCT制度利用能力的增強，PCT申請進入國家階段的數量逐漸上升，并超過PCT國際申請量，表明了該國申請人對PCT制度的利用逐漸成熟和完善。

從目前情況看，我國尚處于PCT制度利用初期，今后幾年PCT申請進入國家階段數量的增長將更為迅速。

有關數據請參見圖2。

我國PCT國際申請進入“五局”國家階段率和進入“五局”國家階段平均數低。

PCT國際申請進入“五局”國家階段率指的是某國進入美、歐、日、韓、中五局中任意一局的國家階段的PCT申請數量除以該國PCT國際申請總量。

這里所研究的PCT申請的范圍是申請日在2000年~年之間的全部PCT國際申請。

論專利侵權認定中的等同原則

【內容摘要】：等同原則是判斷專利侵權的一個重要原則，也是對以字面方式判定侵權的一個補充。

等同原則最早出現在美國的判例中，并隨時間的推移逐漸的為世界各國所接受。

從法理上說，等同原則的存在具有必要性，其主要是以專利權利要求的相關制度及理論為基礎。

同時為了避免等同原則在適用中被不當的擴大，對其進行限制也是必要的，如禁止反悔原則等。

等同原則在我國的適用過程中也遇到了諸多問題，主要有當事人雙方權益難以平衡、適用時的具體規則不統一以及不當擴大使用等。

針對這些問題，本文試著提出了相應的解決思路。

【關鍵詞】： 專利侵權；等同原則；等同原則的適用 在當今社會中，隨著科技的發展，完全仿制他人專利產品或者照搬他人專利方法的行為已不常見，常見的是行為人只要對權利要求中的某些技術特征加以簡單的替換就可以達到侵權的目的。

這樣一來，權利人的利益就受到了嚴重的損害。

等同原則就是為解決此問題而出現的。

自從1950年，美國最高法院在Graver Tank & Mig。 Co。V Linde Air Products Co。一案中確立了等同原則后，英國、德國、日本等世界上許多國家也都開始在此領域適用該原則。

我國也在2001年以司法解釋的形式明確承認了等同原則。

一、 等同原則的概念 所謂等同原則，是指被控侵權物（產品或方法）中有一個或者一個以上技術特征經與專利獨立權利要求保護的技術特征相比，從字面上看不相同，但經過分析可以認定兩者實質上是相等同的技術特征，即是通過所屬技術領域的普通技術人員公知的與其本質上是相同的方式或技術手段來替換專利獨立權利要求中部分必要技術特征，使二者履行相同的功能并且取得實質上相同的結果。

在這種情況下，應當認定被控侵權物（產品或方法）落入了專利權的保護范圍。

根據等同原則，即使被控侵權產品或方法沒有落入權利要求字面含義的范圍，但如果被控侵權物與專利發明中的技術特征之間的差別是非實質性的，被控侵權物仍可能被認為與發明是“相當的”，從而構成侵權。

在對專利的權利要求進行了解釋，并且發現被控侵權物沒有構成字面侵權后，才會適用等同原則。

因此，等同原則下的侵權是對字面侵權的補充。

按照等同原則認定專利侵權，對于專利權人來說，是將其專利的保護范圍擴大到專利權利要求的字面含義之外。

對于公眾來講，權利要求書中應盡可能的明確專利的保護范圍。

法院將被控侵權物與權利要求書中對發明的描述進行對比，如果認為被控侵權物與專利發明雖不完全一致，但與專利發明足夠相似，也可以認為被控侵權物“占用”了發明，從而構成侵權。

二、等同原則存在的必要性及其法理依據 等同判斷自從在美國被用于專利侵權的審理，經不斷發展被確立為法官判案的標準，并逐漸發展成為等同理論，而且被世界上許多國家所認同，有一定的法理依據。

（一）等同原則存在的必要性 從理論上說，專利案件應當嚴格地按照權利要求的內容來判斷侵權。

但各國的實踐都表明，如果過分拘泥于權利要求的文字，則不能為專利權人提供有效的專利保護。

盡管申請人在撰寫其權利要求以及專利審批的過程中，應當盡可能地爭取獲得具有較寬保護范圍的權利要求，但是卻不可能要求申請人預見到侵權者以后有可能采用的所有侵權方式。

專利局授予的專利權都需要予以公告，專利權人通過向公眾公開發明創造來換取國家授予一定期限內的獨占權，這是專利制度的根本機制。

這一機制使得授權的專利發明處在“明處”，而有意采用專利技術而又不愿意支付報酬的人處在“暗處”，他們往往借用專利發明的實質性內容，卻處心積慮地對其中一些部分做出某種非實質性變動，使其實施行為的客體與權利要求的文字內容相比有所不同]。

在這樣的情況下，如果僅僅因為存在一些細小不同，就認定不侵犯專利權，勢必損害專利權人的合法利益，影響整個專利制度的作用。

因此，需要建立一種能夠對權利要求的文字所表達的保護范圍做出一定程度擴展的規則。

（二）等同原則的專利理論依據 專利制度經過幾百年的發展，形成了以權利要求為核心的現代專利制度。

專利權利要求具有界定發明和向社會公示發明保護范圍的雙重作用，有利于實現專利法鼓勵發明和促進科技應用和推廣之目的。

對于專利法上述目的的實現，專利權利要求解釋發揮著重要的作用。

專利權利要求解釋是專利制度中的重要環節。

特別是在專利侵權訴訟過程中，如何解釋權利要求往往成為當事人爭議的焦點。

因此，如何確定我們的權利要求解釋規則，不但涉及訴訟當事人的利益，而且涉及相關領域技術人員對專利保護范圍的預見，從而影響到專利法目的的實現。

等同原則是用于擴展權利要求文字內容表達的保護范圍的工具。

在適用等同原則時，可以參考說明書和附圖的內容，但是又不必僅僅限于說明書和附圖的內容，還可以參考所屬領域中的技術人員對發明的理解、公知的技術常識、有關專家的證言等等。

因此，等同原則與“用說明書和附圖解釋權利要求”不是同一概念，其作用更為顯著。

世上完全相同的東西總是很少，而相似的東西就很多。

正如同在專利審查過程中采用創造性來駁回專利申請的概率遠大于采用新穎性來駁回專利申請的概率一樣，在專利侵權判斷中認定等同侵權的情況也明顯多于認定相同侵權的情況，這表明等同原則在整個專利侵權訴訟中占有十分重要的地位。

三、等同原則適用的限制 由于等同原則的適用超出了權利要求的字面含義，有可能出現不適當的擴大了專利權人的權力范圍，從而對公共利益造成不良影響。

所以，對等同原則的適用要有一定的限制性條件。

這主要包括如下一些原則及規則： （一） 禁止反悔原則 所謂禁止反悔原則是指，在專利審批、撤消或無效宣告程序中專利權人為確立其專利的新穎性和創造性通過書面聲明或文件修改，對權利要求的保護范圍作了限制或者部分的放棄了保護，并因此獲得了專利權，那么在專利侵權程序中法院適用等同原則確定保護范圍時，禁止將已經被限制排除或者已經放棄的內容重新納入專利保護范圍。



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