中企公布EUV光刻機發明專利，難怪ASML著急出貨
專利代理 發布時間：2022-12-07 16:55:22 瀏覽: 次
在光刻機領域，ASML一家獨大，依托自主研發的先進的EUV光刻機，ASML也在整個光刻機市場賺得盆滿缽滿；因為EUV光刻機是生產7nm工藝以下芯片的必備設備，所以很多芯片都爭相購買EUV光刻機。在老美的限制下，中國就算有錢也買不到。
多年來，在美洲等國的幫助下，ASML還成功拿下了核心技術光刻機，獲得了光源設備、真空室、光刻膠材料、光學鏡頭等核心部件的供應。ASML實際承擔組裝EUV光刻機的工作，很多零部件都是從國外進口的；要知道，光刻機中的每一個部件都可能涉及到核心技術 專利，所以其他廠商侵犯專利，很容易被起訴，所以我們不能完全復制EUV光刻機，我們要堅持自主研發自己的專利！
在EUV光刻機等核心技術領域，掌握技術 專利這個鍵非常重要。在這個關鍵時刻，中企川芯半導體公布了一款名為“曝光成像結構、反射式光掩模組和投影式光掩模光刻機”的光掩模光刻機專利 技術，這是除此之外，我們之前在光源、兩件式工作臺等核心技術領域的突破。
樂知網小編給大家分享一個專利申請:一種光刻機系統及光刻方法
摘要:
本發明涉及光刻機技術領域，具體涉及光刻機系統和光刻方法。
該光刻機系統包括能夠發射至少兩種能量束的光源模塊；
能量束調節模塊，用于調節能量束的波長和能量；
光學模塊用于將能量光束共線聚焦形成貝塞爾光束；
四波混頻發光模塊用于提供四波混頻藍光，四波混頻藍光和貝塞爾光束可以共線聚焦形成短波能量光束；
運動模塊包括樣品臺和智能機械手，樣品臺設置為位置可移動狀態，智能機械手用于調整待刻蝕樣品在樣品臺上的位置。通過該系統，可以無限縮小光刻光束的線寬，光束可以縮小到5nm、3nm、2nm甚至更低，從而提高光刻精度，降低功耗。
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